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Ein gasförmiger Präkursor von Silizium ist eine gasförmige chemische Verbindung, die ein Si-Atom enthält. Wie der Name schon sagt, begleitet die Substanz die erste Reaktionsstufe zur Gewinnung von Silizium. Einer der bekannten Präkursoren ist Siliciumtrichlorid – es ist ein Bestandteil bei der Herstellung von epitaktischen Schichten aus SiC.
Bei diesem Verfahren werden Schichten des Elements auf Träger abgeschieden, wodurch Dünnschichtstrukturen mit kontrollierter Reinheit und chemischer Zusammensetzung entstehen. Es wird bei der Herstellung von Halbleitern verwendet, wie z.B. bei Siliziumplättchen für integrierte Schaltkreise, LEDs oder Photovoltaikzellen.
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Polen
Przemysław Kanikowski
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