Vorläufer in der Epitaxie von Silizium und Siliziumverbindungen

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Zusammensetzung

Silizium, Chloride

CAS-Nr.

10025-78-2

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Präkursor in der Epitaxie von Silizium und Siliziumverbindungen

Ein Präkursor bei der Epitaxie von Silizium und Siliziumverbindungen ist eine chemische Substanz, die in einem als Epitaxie bezeichneten Verfahren zur Abscheidung von Siliziumschichten auf einem Untergrund verwendet wird.Die Epitaxie ist eine Technik, bei der dünne Siliziumschichten auf einem monokristallinen Siliziumuntergrund aufgewachsen werden. Das Verfahren ist von grundlegender Bedeutung für die Halbleiterherstellung, insbesondere in der Mikroelektronikindustrie, wo sie für die Herstellung integrierter Schaltkreise unerlässlich ist.Die am häufigsten verwendete Methode der Epitaxie ist die chemische Gasphasenabscheidung unter Verwendung metallorganischer Verbindungen (MOCVD, MOVPE). Unter kontrollierten Reaktorbedingungen werden gasförmige Komponenten zugeführt, die infolge einer Reaktion die gewünschten Schichten bilden. Ein Beispiel für einen Präkursor in dem oben genannten Verfahren ist Siliziumtrichlorid.

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