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Um precursor na epitaxia do silício e dos compostos de silício é um produto químico usado em um processo denominado epitaxia para depositar camadas de silício em substratos.
Epitaxia é uma técnica que envolve o crescimento de finas camadas de silício sobre um substrato de silício monocristalino. Este método é essencial para a produção de semicondutores, em particular na indústria microeletrônica, onde são essenciais para a produção de circuitos integrados.
O método de epitaxia mais comumente usado é a deposição química de vapor usando compostos metalorgânicos (MOCVD, MOVPE). Componentes gasosos são introduzidos sob condições controladas de um reator, causando a formação das camadas desejadas como resultado da reação. Um exemplo de precursor neste processo é o tricloreto de silício.
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